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IXTV250N075T
IXTV250N075TS
250
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
225
200
175
150
160
140
120
100
T J = - 40oC
25oC
125
100
75
50
25
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
80
60
40
20
0
150oC
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
300
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 37.5V
250
200
8
7
6
I D = 25A
I G = 10mA
150
100
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
100,000
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
1.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0.10
C oss
1,000
C rss
100
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
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IXTV26N50PS 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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